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第三代半导体

深紫外LED项目介绍

  深紫外LED芯片项目,依托中科院半导体所在氮化物深紫外LED领域十余年的研究成果,由华人彩集团、中科院半导体所技术团队、长治市人民政府共建,分别建设年产3000万颗紫外LED芯片生产线、以及半导体技术研究院。

项目概况

  本项目核心主体包括山西中科华人彩紫外光电科技有限公司(以下简称“紫外光电公司”)和山西中科华人彩半导体技术研究院有限公司(以下简称“半导体研究院”)。

1、紫外光电公司

  注册资本4亿元,位于长治高新区漳泽工业园,一期建设年产3000万颗紫外LED芯片项目,主要开展紫外LED芯片,以及金属有机化合物气相沉积设备、紫外杀菌设备的生产和销售。建成后将成为全球第一条规模化生产线,在国内外产生重大的影响力。

2、半导体研究院

  研究院注册资本2亿元,位于长治高新区漳泽工业园。研究院是创新技术研发平台,拟实现5大服务功能,包括前沿半导体技术、高端应用产品开发与设计、对外检验检测、行业标准制定以及成果转化孵化。研究院将通过技术研发和科技服务的协同创新,加快技术、产业、资金、人才等创新要素的快速集聚,打造国家级创新平台,致力于建设成为氮化物半导体产业的创新策源地、人才集聚地和技术辐射地创新成功地,支撑华人彩深紫外LED的生产和发展。

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[责任编辑:崔婷婷]

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